А что тут такого? Что-то изменится? Если уж разбираетесь в физике - то легко ответите.petrovic11 писал(а):Source of the post Я не собираюсь спорить по поводу уменьшения толщины полупроводника до размеров p-n перехода. Если вам это интересно, то пожалуйста. Но не со мной и желательно не в моей теме.
Так часть зарядов или лавинообразно все заряды? Если часть, то от чего зависит размер этой части.petrovic11 писал(а):Source of the post ... Часть электронов из объёмного заряды уходят вглубь p-полупроводника. ... Поэтому часть электронов из глубины n-полупроводника займут места ушедших электронов. ... Вот так лавинообразно объёмный заряд электронов рассосётся по всему полупроводнику.
И все-таки, если можно, ответьте на вопросы так, как я их задал. Желательно в форме:
1) да (нет), потому что ...;
2) да (нет), потому что ...;
3) да (нет), потому что ...;
4) да (нет), потому что ...;
5) да (нет), потому что ...;
это ведь вам не трудно?