Вечный двигатель

[Bulatos]

Source of the post Я сколько раз писал, что соединения полупроводника омическое. То есть, в месте соединения полупроводника и металлического проводника практически нет потенциального барьера или он значительно меньше, чем у p-n перехода. Подбором металла можно добится того, что крп в месте их соединения не будет. Нет там контактной разности потенциалов. Крп есть только в месте соприкосновения полупроводников.

Ничего больше утверждать не буду. Только вопросы позадаю. Вам же интересна физика, значит и на вопросы интересно отвечать.
1) Вот подобрали вы металл к p-телу. КРП=0В, замечательно! А этот металл "подойдет" к n-телу? Чтобы тоже КРП=0В?
2) к черту p-n-переход, чтоб не смущал. Можно взять кучу разных материалов. Между ними разные-преразные КРП. Вот бы собрать из них замкнутую цепь так, чтобы ток тек вечно! Получится? И омические используем, если надо! Ну подберем так!
3) ваш "конденсатор" на p-n-контакте "отвязан" от внешнего мира - почему-то не хотят заряды стекать к замыкающему проводу, материал не пропускает. Ну возьмем потоньше тело, чтоб его толщина такой же была, как толщина "обогащенного/обедненного" слоя. А лучше еще тоньше! Все равно не стекут заряды?
4) а вот разорвали p-n-контакт - и сразу заряды стекли. Что изменилось в материале чуть дальше зоны контакта? Еще вас не впечатлило разнесение на зазор 1 микрон, пусть будет 1 нанометр (идеальные поверхности контакта, можно теоретически?). Все равно все заряды полностью стекут?
5) смысла раздвигать контакты далее, чем на м, нет. Так? Зачем совершать бОльшую работу - заряды и так перетекли.
 

[Pyotr]

Source of the post Если годика через 2, максимум 3, не будет признано, что ВД возможен, извинюсь перед всем форумом.

Обещанного ...

[petrovic11]

Цитата: "Вдали от контакта двух областей электрическое поле отсутствует (если соответствующие области легированы равномерно) или относительно мало по сравнению с полем в p - n - переходе. Поэтому энергетические зоны в этих областях изображены горизонтальными. Взаимное расположение разрешённых зон и уровня Ферми за пределами p - n - перехода остаётся таким же, каким было в соответствующих полупроводниках."
Если кто не понял. Крп при контакте полупроводников существует в небольшой области p-n перехода. Полупроводники были разомкнуты, а потом замкнуты. Крп существует только в небольшой области p-n перехода. За пределами p-n перехода ничего измениться при соприкосновении полупроводников. То есть, как был 0 до соприкосновения на выводах, так 0 и остался после соприкосновения.
Bulatos, да как вы не можете понять такой простой вещи. Когда часть электронов переходят с n-полупроводника на p-полупроводник, то на n-полупроводнике остаются атомы, допустим кремния, которые составляют кристаллическую решётку. Не могут они двигаться в отличие от электронов. Ушли электроны, остался положительный заряд ионов кремния. Этот положительный заряд ионов притягивает отрицательные электроны и не даёт им двигаться дальше от перехода, вглубь p-полупроводника. Поэтому электроны и остаются вблизи перехода и образуют объёмный отрицательный заряд. Этот объёмный отрицательный заряд в свою очередь отталкивает электроны из глубины n-полупроводника и не даёт им подойти к переходу и занять места электронов, перешедших на p-полупроводник.
Пока постарайтесь понять это.

[Bulatos]

вы все время говорите об одном и том же. Это ПОНЯТНО ВСЕМ. Дальше, дальше рассуждайте. Я ж задал очень конкретные вопросы. Прям по пунктам, пожалуйста. На эти вопросы ответов (пусть у меня) нет. Просветите.

Source of the post За пределами p-n перехода ничего измениться при соприкосновении полупроводников. То есть, как был 0 до соприкосновения на выводах, так 0 и остался после соприкосновения.

кстати, посмотрите график распределения потенциала в статье по вашей ссылке. Он там равен нулю? А если нет, то при замыкании ток должен потечь? Ну видно же по графику, что есть 250мВ разницы?
 

[petrovic11]

Я не собираюсь спорить по поводу уменьшения толщины полупроводника до размеров p-n перехода. Если вам это интересно, то пожалуйста. Но не со мной и желательно не в моей теме.
При расхождении полупроводников, расстояние между ними увеличивается. Сила, удерживающая электроны, уменьшается. Часть электронов из объёмного заряды уходят вглубь p-полупроводника. Это уменьшает отрицательный заряд. Поэтому часть электронов из глубины n-полупроводника займут места ушедших электронов. Положительный заряд на n-полупроводнике также уменьшится. Вот так лавинообразно объёмный заряд электронов рассосётся по всему полупроводнику. А затем эти электроны вернуться на n-полупроводник, откуда они перешли на p-полупроводник. И всё вернётся к первоначальному положению, как было до соприкосновения полупроводников.
Кстати, в материалах Евразийского научного объединения напечатаны обе мои статьи.
http://esa-conference.ru/journal/ii-mezhdu...ferentsiya-eno/

[Andrew58]

Source of the post Если кто не понял. Крп при контакте полупроводников существует в небольшой области p-n перехода. Полупроводники были разомкнуты, а потом замкнуты. Крп существует только в небольшой области p-n перехода. За пределами p-n перехода ничего измениться при соприкосновении полупроводников. То есть, как был 0 до соприкосновения на выводах, так 0 и остался после соприкосновения.

Это еще что за бред? КРП сосредоточена в области контакта и, грубо говоря, имеет вид ступеньки потенциала. В остальном объеме полупроводника изменения потенциала не происходит. В результате на "краях" p-n структуры имеем разность потенциалов, равную высоте этой ступеньки, т.е. КРП.

[petrovic11]

Вот цитата из ссылки, что вы сами давали. "Вдали от контакта двух областей электрическое поле отсутствует (если соответствующие области легированы равномерно) или относительно мало по сравнению с полем в p - n - переходе." То есть, электрическое поле или крп сосредоточенно вблизи p-n перехода. В результате на краях полупроводников, в местах подключения металлических выводов к полупроводникам крп p-n перехода нет. Она, грубо говоря, до туда не доходит. А так как соединения выводов с полупроводников омическое, то и там крп нет.

[Andrew58]

Source of the post  То есть, электрическое поле или крп сосредоточенно вблизи p-n перехода.

Нет электрического поля - нет изменения потенциала.

Она, грубо говоря, до туда не доходит.

Но пасаран?
Идет ровная площадка, затем ступенька, затем опять ровная площадка. Ваше изречение эквивалентно тому, что между дальними краями площадок перепада высот нет, поскольку площадки ровные, и ступенька "до туда не доходит". 
Теперь дошло?

[Andrew58]

Source of the post Обещанного ...

Вы абсолютно правы, и на этот счет никто особо не обольщается.
Какую позицию, на Ваш взгляд, следует выбирать? Игнорировать? Возражать?
Если игнорировать - будет считать, что возражений нет.
Если возражать - будет считать, что участвует в научной дискуссии.
 

[Andrew58]

Source of the post  А на вашу схему у меня ответ, который я с самого начала говорил: есть не один, а много контактов в цепи, в каждом есть КРП, их сумма =0В. Тока не будет, соотвественно, конденсатор не зарядится.

Сомнительно, чтобы здесь прошёл этот фокус. На конденсаторе собственной крп нет - вот разность потенциалов, компенсирующая суммарную крп - это другое дело