Ничего больше утверждать не буду. Только вопросы позадаю. Вам же интересна физика, значит и на вопросы интересно отвечать.petrovic11 писал(а):Source of the post Я сколько раз писал, что соединения полупроводника омическое. То есть, в месте соединения полупроводника и металлического проводника практически нет потенциального барьера или он значительно меньше, чем у p-n перехода. Подбором металла можно добится того, что крп в месте их соединения не будет. Нет там контактной разности потенциалов. Крп есть только в месте соприкосновения полупроводников.
1) Вот подобрали вы металл к p-телу. КРП=0В, замечательно! А этот металл "подойдет" к n-телу? Чтобы тоже КРП=0В?
2) к черту p-n-переход, чтоб не смущал. Можно взять кучу разных материалов. Между ними разные-преразные КРП. Вот бы собрать из них замкнутую цепь так, чтобы ток тек вечно! Получится? И омические используем, если надо! Ну подберем так!
3) ваш "конденсатор" на p-n-контакте "отвязан" от внешнего мира - почему-то не хотят заряды стекать к замыкающему проводу, материал не пропускает. Ну возьмем потоньше тело, чтоб его толщина такой же была, как толщина "обогащенного/обедненного" слоя. А лучше еще тоньше! Все равно не стекут заряды?
4) а вот разорвали p-n-контакт - и сразу заряды стекли. Что изменилось в материале чуть дальше зоны контакта? Еще вас не впечатлило разнесение на зазор 1 микрон, пусть будет 1 нанометр (идеальные поверхности контакта, можно теоретически?). Все равно все заряды полностью стекут?
5) смысла раздвигать контакты далее, чем на м, нет. Так? Зачем совершать бОльшую работу - заряды и так перетекли.