Еше раз повторяю свой вопрос: Что в этом сообщении не правильно?
petrovic11 писал(а):Source of the post Для начала вспомним Фейнмана и его вертушку. Я лично не нашёл конкретных чертежей его вертушки с соответствующими параметрами, размерами, материалами и прочее. Также не нашёл готовую конструкцию этой вертушки. Может вы их имеете, тогда поделитесь. А если их нет, то и с меня не требуйте.
Вот цитата из параграфа "Физические явления в p-n-переходе": При идеальном контакте двух полупроводников с различным типом электропроводности из - за градиента концентрации носителей заряда возникает их диффузия в области с противоположным типом электропроводности через плоскость металлургического контакта (плоскость, где изменяется тип примесей, преобладающих в полупроводнике). В результате диффузии носителей заряда нарушается электрическая нейтральность примыкающих к металлургическому контакту частей монокристалла полупроводника. В p - области вблизи металлургического контакта после диффузии из неё дырок остаются нескомпенсированные ионизированные акцепторы (отрицательные неподвижные заряды), в n - области - нескомпенсированные ионизированные доноры (положительные неподвижные заряды). Образуется область пространственного заряда, состоящая из двух разноимённо заряженных слоёв. Между нескомпенсированными разноимёнными зарядами ионизированных примесей возникает электрическое поле, направленное от n - области к p - области и называемое диффузионным электрическим полем." То есть, электроны из n-полупроводника переходят на p-полупроводник, а дырки с p-полупроводника переходят на n-полупроводник. В результате n-полупроводник получает положительный заряд, а p-полупроводник - отрицательный. Главное, что электроны перешли с n-полупроводника на p-полупроводник. Против этого нет аргументов.
Другая цитата: "Вдали от контакта двух областей электрическое поле отсутствует (если соответствующие области легированы равномерно) или относительно мало по сравнению с полем в p - n - переходе. Поэтому энергетические зоны в этих областях изображены горизонтальными. Взаимное расположение разрешённых зон и уровня Ферми за пределами p - n - перехода остаётся таким же, каким было в соответствующих полупроводниках."
То есть, контактная разность потенциалов возникает только в небольшой области радом с границей перехода. За границами перехода как не было поля до соприкосновения, так и не стало при соприкосновении полупроводников.
Омические контакты. Вот здесь можете прочитать про них. http://journals.ioffe.ru/ftp/2007/11/p1281-1308.pdfhttp://journals.ioffe.ru/ftp/2007/11/p1281-1308.pdf
В омическом контакте потенциальный барьер может вообще отсутствовать, если подобрать соответствующие металл и полупроводник. Или будет значительно ниже, чем в переходе. Или туннельно-прозрачным. В результате омические контакты не мешают движению электронов.
Когда полупроводники соприкоснулись, то часть электронов с n-полупроводника перешла на p-полупроводник. Полупроводники разъединились. Электроны остались на p-полупроводнике. Этот объёмный заряд из электроном на может оставаться на месте. Условия его возникновения пропали при разъединении полупроводников. Электроны из области перехода p-полупроводника перейдут на n-полупроводник по такому пути:p-полупроводник - омический контакт - металл - омический контакт-n-полупроводник. До соприкосновения полупроводники были нейтральными. После перехода излишков электронов с p-полупроводника на n-полупроводник по соединяющему их металлическому проводнику, полупроводники снова стали нейтральными. Но по металлическому проводнику прошёл импульс тока. И при каждом соприкосновении-разъединении полупроводников по металлическому проводнику будет протекать импульс тока.
