Осциллятор Андреева.
Добавлено: 09 фев 2015, 05:02
Для примера возьмём полупроводниковый диод - это два соединённых полупроводника с металлическими выводами. Соединение металлических выводов с полупроводниками - омическое. То есть, такое соединение не создаёт p-n переход, не обладает односторонней проводимостью и не мешает движению электронов. Допустим, разъединим полупроводники и соединим металлические выводы. Получится металлический проводник с полупроводниками на концах. На одном конце p-полупроводник, а на другом конце n-полупроводник. Разместим полупроводники и металлический проводник на маятнике, как на рисунке (а). Сама вертушка, которая качает пластину на рисунке не показана.
1 - n-полупроводник. 2 - p-полупроводник. 3 - металлический проводник, соединяющий полупроводники. Первоначально полупроводники не соприкасаются. Рис. (а). Тока в металлическом проводнике нет. Затем под ударами молекул вертушка поворачивается. Поворачивается и пластина с полупроводниками и полупроводники соприкасаются Рис. (б). Возникает p-n переход. Уровень Ферми у n-полупроводника выше, поэтому электроны с n-проводника переходят на p-полупроводник, пока уровни не сравняются. На n-полупроводнике оставшиеся ионы создают положительное электрический заряд. На p-полупроводнике избыточные электроны создают отрицательный заряд. Возникающее электрическое поле тормозит дальнейший переход электронов и система опять уравновешена. Вблизи p-n перехода на p-полупроводнике возникает область с избыточным содержанием электронов. На n-полупроводнике также возникает область с недостатком электронов. Но тока в металлическом проводнике пока также нет. Затем, под действием ударов молекул, пластина поворачивается в обратную сторону и полупроводники разъединяются. Рис. (в). P-n переход исчезает. То есть, больше нет причин для существования объёмных зарядов вблизи границы p-n перехода. Поэтому избыточные электроны с p-полупроводника по металлическому проводнику переходят на n-полупроводник. В металлическом проводнике возникает импульс электрического тока I. Избыточные электроны с p-полупроводника перешли на n-полупроводник и система пришла в первоначальное положение. Затем, под действием ударов молекул, пластина поворачивается и полупроводники соприкасаются. Рис. (г). И далее процесс повторяется. При каждом разъединении полупроводников по металлическому проводнику будет протекать импульс электрического тока, причём только в одном направлении. Так как при соприкосновении полупроводников они заряжаются разноимённо, то между ними возникает сила притяжения. На преодоление этой силы будет использоваться кинетическая энергия молекул. Соответственно, скорость молекул будет уменьшатся, что эквивалентно уменьшению температуры окружающего газа. От одного такого устройства ток и напряжения очень малы. Но ничто не мешает множество таких устройств соединить вместе последовательно и параллельно и получить напряжение, достаточное для работы небольшого электромотора. На вал электромотора насадить шкив с ниточкой, на конце которой привязана блошка. И вуаля, сбылась многовековая мечта альтернативщиков и создателей ВД - блошку можно поднять на любую высоту только за счёт тепла окружающей среды.
Всё настолько просто, что диву даёшься, что мешало Фейнману применить такой способ? Вместо полупроводников можно использовать контактную разность потенциалов, возникающую при соприкосновении разнородных металлов. Не поверю в то, что Фейнман не знал про к.р.п. Но не хватило воображения. А как пишет А. Эйнштейн: " Воображение позволяет нам заглянуть за горизонт обыденной жизни. Воображение важнее, чем знание."
И такое устройство практически создано. Погуглите "механический транзистор". Достаточно к такому "механическому транзистору" приделать лопасть, чтобы он мог колебаться под действием ударов молекул и осциллятор Андреева готов.
И не надо возражать, что вертушка не сможет колебать пластину.
1 - n-полупроводник. 2 - p-полупроводник. 3 - металлический проводник, соединяющий полупроводники. Первоначально полупроводники не соприкасаются. Рис. (а). Тока в металлическом проводнике нет. Затем под ударами молекул вертушка поворачивается. Поворачивается и пластина с полупроводниками и полупроводники соприкасаются Рис. (б). Возникает p-n переход. Уровень Ферми у n-полупроводника выше, поэтому электроны с n-проводника переходят на p-полупроводник, пока уровни не сравняются. На n-полупроводнике оставшиеся ионы создают положительное электрический заряд. На p-полупроводнике избыточные электроны создают отрицательный заряд. Возникающее электрическое поле тормозит дальнейший переход электронов и система опять уравновешена. Вблизи p-n перехода на p-полупроводнике возникает область с избыточным содержанием электронов. На n-полупроводнике также возникает область с недостатком электронов. Но тока в металлическом проводнике пока также нет. Затем, под действием ударов молекул, пластина поворачивается в обратную сторону и полупроводники разъединяются. Рис. (в). P-n переход исчезает. То есть, больше нет причин для существования объёмных зарядов вблизи границы p-n перехода. Поэтому избыточные электроны с p-полупроводника по металлическому проводнику переходят на n-полупроводник. В металлическом проводнике возникает импульс электрического тока I. Избыточные электроны с p-полупроводника перешли на n-полупроводник и система пришла в первоначальное положение. Затем, под действием ударов молекул, пластина поворачивается и полупроводники соприкасаются. Рис. (г). И далее процесс повторяется. При каждом разъединении полупроводников по металлическому проводнику будет протекать импульс электрического тока, причём только в одном направлении. Так как при соприкосновении полупроводников они заряжаются разноимённо, то между ними возникает сила притяжения. На преодоление этой силы будет использоваться кинетическая энергия молекул. Соответственно, скорость молекул будет уменьшатся, что эквивалентно уменьшению температуры окружающего газа. От одного такого устройства ток и напряжения очень малы. Но ничто не мешает множество таких устройств соединить вместе последовательно и параллельно и получить напряжение, достаточное для работы небольшого электромотора. На вал электромотора насадить шкив с ниточкой, на конце которой привязана блошка. И вуаля, сбылась многовековая мечта альтернативщиков и создателей ВД - блошку можно поднять на любую высоту только за счёт тепла окружающей среды.
Всё настолько просто, что диву даёшься, что мешало Фейнману применить такой способ? Вместо полупроводников можно использовать контактную разность потенциалов, возникающую при соприкосновении разнородных металлов. Не поверю в то, что Фейнман не знал про к.р.п. Но не хватило воображения. А как пишет А. Эйнштейн: " Воображение позволяет нам заглянуть за горизонт обыденной жизни. Воображение важнее, чем знание."
И такое устройство практически создано. Погуглите "механический транзистор". Достаточно к такому "механическому транзистору" приделать лопасть, чтобы он мог колебаться под действием ударов молекул и осциллятор Андреева готов.
И не надо возражать, что вертушка не сможет колебать пластину.