zykov писал(а):Source of the post Не следует оставлять базу биполярного транзистора висячей. Он не предназанчен для такого режима работы.
Поискал в интернет, вот что пишет народ на. (Например: "Транзистор с висячей базой может открываться от любой наводки.")
Это всё, конечно, понятно. Но интересует именно на уровне зарядов. Попытаюсь ещё раз объяснить: в теории везде пишут, что напряжение база-эмиттер, приложенное к транзистору, содействует "впрыскиванию" электронов из области n в область p (рассматриваем npn). Затем часть из впрыснутых в базу зарядов скопытится в этой самой области p, то есть рекомбинируют с дырками и образуют базовый ток. А большая часть из них будут втянуты коллектором, так как переход база-коллектор смещён в обратном направлении и электроны он с радостью пропустит. И в связи с этим как раз вопрос: ну так почему же для так называемого "выпрыскивания" (экстракции) электронов из эмиттера в базу надо обязательно приложить напряжение к эмиттеру и базе, если можно приложить напряжение к эмиттеру-коллектору, а базу оставить висячей? Ведь электроны по идее из эмиттера в базу всё равно должны поступать - мы ведь напряжение приложили. А оттуда они опять могут втянуться в коллектор. Вопрос мой в двух словах - почему же при простом приложении напряжения эмиттер-коллектор без базы электроны не "впрыскиваются" в базу так же, как это происходит тогда, когда базу мы задействуем. К сожалению, в учебной литературе не рассматривается данный случай. Пишется, что происходит, когда база не висит. А что происходит, когда она висит объяснить не торопятся, потому что на основе изложенной там теории, транзистор и без базы прекрасно выживет - это и меня зацепило. Почему на основании данной теории транзистор и без базы обойдётся, если на практике без базы как раз-таки он работать не будет?
Очень хотелось бы понятней объяснить и приложить рисунок, но рисунки мне пока клеить не разрешено. Как только появится возможность, я детально попытаюсь объяснить, в чём именно проблема. Понятно, что такой режим работы транзистора не используется, что просто нет смысла его использовать без базы, но меня мучает вопрос уже долго - почему именно? Как объясняются эти явления именно с точки зрения движения зарядов в данном полупроводниковом приборе. (имею в виду явления, происходящие тогда, когда к базе не приложено напряжение.